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JournalofSemiconductors杂志
《Journal of Semiconductors》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。
《Journal of Semiconductors》报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物,发表中、英文稿件。
- 主管单位：中国科学院
- 主办单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会
- 国际刊号：1674-4926
- 国内刊号：11-5781/TN
- 出版地方：北京
- 发行周期：月刊
- 创刊时间：1980
- 影响因子：0.498
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《Journal of Semiconductors》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。
《Journal of Semiconductors》报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物,发表中、英文稿件。
JournalofSemiconductors杂志荣誉
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JournalofSemiconductors杂志投稿须知
一、请在网站投稿或电子邮件投稿。
二、坚持原创性，严禁一稿多投。作者所投稿件须是自己完成的原创作品，且与该稿件内容无实质差别的作品，未曾被其他报纸、期刊、网络平台等公开发表或通知即将公开发表。
三、文章应对已有文献进行学理性梳理和评述，并在正文中明确说明其对本学科的学术贡献，需注重文献评述的逻辑性。
四、倡导研究方法多样化，包括定性与定量研究方法，但所有的研究方法都须遵循严谨的学术规范。
五、编辑部在审稿过程中，若向作者索取文章所用的研究数据，作者应提供这些数据。为了促进知识传播，在文章发表后，若读者向作者索取文章所用的研究数据，作者也应配合提供这些数据；若作者出于合理原因无法提供研究数据时，应详细说明获取这些数据的途径。
六、鼓励作者在投稿文章中阐述该项研究的背景（学术研究背景与政策、现实背景），以及未来研究的可拓展方向。
七、请作者在投稿前按照本刊的投稿格式要求对投稿文章进行核对，并仔细校对文章内容，避免出现语句、词语和文法等常见的错误。投稿文章的格式和文法内容，也将作为审稿依据。
二、坚持原创性，严禁一稿多投。作者所投稿件须是自己完成的原创作品，且与该稿件内容无实质差别的作品，未曾被其他报纸、期刊、网络平台等公开发表或通知即将公开发表。
三、文章应对已有文献进行学理性梳理和评述，并在正文中明确说明其对本学科的学术贡献，需注重文献评述的逻辑性。
四、倡导研究方法多样化，包括定性与定量研究方法，但所有的研究方法都须遵循严谨的学术规范。
五、编辑部在审稿过程中，若向作者索取文章所用的研究数据，作者应提供这些数据。为了促进知识传播，在文章发表后，若读者向作者索取文章所用的研究数据，作者也应配合提供这些数据；若作者出于合理原因无法提供研究数据时，应详细说明获取这些数据的途径。
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